با تغییر در شدت میدان مغناطیسی، امکان تغییر در وضعیت جسم ابررسانا از ابررسانایی به مقاومتی و برعکس امکانپذیر است. بنابراین از مواد ابررسانا جهت انجام سوئیچینگ یا کلیدزنی نیز میتوان بهره گرفت. تحقیقات اولیه در این زمینه از اواخر دهه 1950 میلادی آغاز شد و کوششهایی برای استفاده از سوئیچهای ابررسانا در مدارها و حافظه کامپیوترهای بزرگ صورت گرفت. باک[1] در سال 1956 مداری با نام کرایوترون[2] شامل یک سیمپیچ نیوبیوم با دمای بحرانی 3/9 درجه کلوین و هستهای از سیم تانتالوم با دمای بحرانی 4/4 درجه کلوین معرفی نمود که با توجه دمای 2/4 درجه کلوین هلیوم مایع، امکان تغییر وضعیت سیم تانتالوم در اثر ایجاد جریان الکتریکی و در نتیجه میدان مغناطیسی در سیمپیچ نیوبیوم وجود داشت. با توسعه دانش نیمههادی، توجه به سوئیچهای ابررسانا کاهش یافت اما حجم و تلفات کمتر، و سرعت بالاتر تراشههای ابررسانا نسبت به تراشههای نیمههادی، استفاده از سلولهای کرایوترونی و جایگزینی ابررسانا به جای مدارهای مسی را برای ساخت ابرکامپیوترهای بسیار سریع و کم تلفات، حتی با وجود پیشرفتهای صنعت نیمه هادی توجیه پذیر میسازد.