در ساخت مدارهای الکترونیکی از دو تکنولوژی عمده ترانزیستور و مدارهای مجتمع استفاده می‌شود که ابررساناها به یاری پدیده‌های مقاومت صفر و جوزفسون می‌توانند در هر دو مورد به کار روند.
ابررساناها ممکن است به صورت ماده‌ای ایده‌آل در ساخت اتصالات داخلی به‌کار روند. از آنجا که ابررساناها می‌توانند الکتریسیته را بدون هیچ مقاومتی از خود عبور دهند، به میزان قابل توجهی سبب کاهش اتلاف انرژی به صورت حرارت در مدارهای مجتمع و ترانزیستورها می‌گردند.
مواد ابررسانا مزیت‌های دیگری از جمله حذف مشکلات مربوط به تداخل میدان مغناطیسی در مدارهای مجتمع را دارا می‌باشند. مشکل عمدهای که بر سر راه استفاده از ابررساناهای جدید با دمای گذار بالا، وجود دارد، پایین بودن چگالی جریان عبوری JCT در آنهاست. در مدارهای مجتمع، نیاز به چگالی جریان عبوری ١٠٠٠٠٠ آمپر بر سانتی‌متر مربع تا ١٠٠٠٠٠٠ آمپر بر سانتی متر مربع داریم. درحال حاضر، مواد ابررسانایی با دمای گذار بالایی که بتوانند چنین گستره‌ای از چگالی جریان را داشته باشند، در اختیار نداریم.
استفاده از ابررساناها با توجه به عدم اتلاف انرژی الکتریکی به شکل گرما و طرد میدان‌های مغناطیسی خارجی و جلوگیری از تداخل چنین میدان‌هایی در مدارهای مجتمع می‌توانند بسیار مفید باشد.
مزیت ادوات الکترونیکی ابررسانایی به طور خلاصه عبارتند از: